Científicos de Samsung desarrollan una nueva memoria que podría combinar velocidades similares a las de RAM con capacidades de SSD.
Una importante innovación en la detección ha acercado la llegada del Selector-Only-Memory (SOM).
Samsung ha utilizado modelado computacional avanzado para acelerar el desarrollo de una nueva tecnología de memoria denominada Selector-Only Memory (SOM). Esta innovación combina la no volatilidad con velocidades de lectura y escritura similares a las de la DRAM y permite apilar múltiples capas.
Basándose en investigaciones previas, la tecnología SOM se fundamenta en arquitecturas de memoria de cruce, similares a la memoria de cambio de fase y la RAM resistiva (RRAM), donde se emplean arreglos apilados de electrodos. Normalmente, estas arquitecturas requieren de un transistor o un diodo selector para acceder a celdas de memoria específicas y evitar caminos eléctricos no deseados. Sin embargo, Samsung ha adoptado un enfoque novedoso al investigar materiales basados en calcógenos que funcionan como tanto el selector como el elemento de memoria, lo que introduce una nueva forma de memoria no volátil.
En la próxima reunión internacional de dispositivos electrónicos (IEDM), que se celebrará del 7 al 11 de diciembre en San Francisco, los investigadores de Samsung presentarán sus hallazgos. Se abordará cómo se examinó una amplia gama de materiales calcógenos para aplicaciones de SOM. Durante su estudio, Samsung exploró más de 4,000 combinaciones de materiales, reduciéndolas a 18 candidatos prometedores mediante modelado computacional basado en el método Ab-initio. Las áreas de enfoque incluyeron la mejora de la deriva del voltaje umbral y la optimización de la ventana de memoria, factores clave en el rendimiento de la SOM.
La investigación tradicional sobre SOM se ha limitado al uso de sistemas de calcógenos de Ge, As y Se, como los que se encuentran en los interruptores de umbral ovónicos (OTS). Sin embargo, Samsung afirma que su extensivo proceso de modelado permitió una búsqueda más amplia, considerando características de enlace, estabilidad térmica y fiabilidad del dispositivo para mejorar el rendimiento y la eficiencia.
En una presentación posterior en el IEDM, investigadores de IMEC discutirán posibles mecanismos atómicos, como el reordenamiento local de enlaces atómicos y la segregación atómica, que podrían explicar cómo opera el componente selector en la SOM, influyendo además en el voltaje umbral, un factor crucial en el rendimiento de la memoria.