En 2025, los científicos continúan considerando el SOT-MRAM como la próxima gran innovación que transformará la inteligencia artificial y más.
Los científicos han logrado otro avance significativo, aunque todavía no hemos alcanzado el objetivo final.
Un equipo de investigadores de la Universidad Johannes Gutenberg de Mainz, en Alemania, ha colaborado con Antaios, una empresa francesa especializada en memoria magnética, para crear una tecnología de memoria más eficiente y respetuosa con el medio ambiente. Este nuevo tipo de memoria, conocido como SOT-MRAM (memoria magnética de acceso aleatorio con par spin-órbita), promete reducir el consumo energético en un 50%, mientras mejora la eficiencia en un 30%.
La SOT-MRAM se presenta como una alternativa prometedora a la memoria estática convencional, gracias a su menor consumo de energía y su naturaleza no volátil. A diferencia de las memorias tradicionales, este sistema utiliza corrientes eléctricas para cambiar los estados magnéticos, lo que permite un almacenamiento de datos confiable. Sin embargo, uno de los principales retos ha sido reducir la alta corriente de entrada necesaria para escribir datos y garantizar su compatibilidad con aplicaciones industriales. Para abordar este desafío, el equipo desarrolló un material magnético que incorpora rutenio como canal SOT, lo que ha mejorado significativamente su rendimiento.
Dr. Rahul Gupta, quien fue investigador postdoctoral en el Instituto de Física de la JGU y autor principal del estudio, destacó que este prototipo tiene el potencial de revolucionar el almacenamiento y procesamiento de datos. Además, subrayó que la tecnología se alinea con las metas globales para disminuir el consumo energético y proporciona soluciones de almacenamiento más rápidas y eficientes.
El equipo asegura que esta tecnología no solo reduce el consumo de energía, sino que también asegura la retención de datos por más de diez años. Este avance se basa en el Efecto Hall Orbital, que permite una mayor eficiencia energética sin depender de materiales raros o costosos. A diferencia de las SOT-MRAM tradicionales, que requieren elementos con un fuerte acoplamiento spin-órbita, como el platino y el tungsteno, el nuevo método utiliza corrientes orbitales derivadas de corrientes de carga, eliminando así la dependencia de materiales escasos y costosos.
El estudio titulado “Harnessing orbital Hall effect in spin-orbit torque MRAM” fue publicado en una revista científica de renombre.
